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| 光走査光学装置 专利
专利号: JP5365592B2, 申请日期: 2013-09-20, 公开日期: 2013-12-11
作者: 長岡 敦; 長坂 泰志; 松尾 隆宏
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| 光走査光学装置 专利
专利号: JP2012037784A, 申请日期: 2012-02-23, 公开日期: 2012-02-23
作者: 長坂 泰志; 長岡 敦; 松尾 隆宏
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| レーザ光源ユニット 专利
专利号: JP2011035099A, 申请日期: 2011-02-17, 公开日期: 2011-02-17
作者: 草野 秀昭; 長坂 泰志; 長岡 敦; 松尾 隆宏
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| レーザ光学装置 专利
专利号: JP2010123597A, 申请日期: 2010-06-03, 公开日期: 2010-06-03
作者: 松尾 隆宏; 長坂 泰志; 草野 秀昭; 長岡 敦
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| 光源ユニット及びこれを備えた光走査装置 专利
专利号: JP2010091779A, 申请日期: 2010-04-22, 公开日期: 2010-04-22
作者: 松尾 隆宏; 長坂 泰志; 草野 秀昭; 長岡 敦
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| レーザ走査光学装置 专利
专利号: JP2010091799A, 申请日期: 2010-04-22, 公开日期: 2010-04-22
作者: 草野 秀昭; 長岡 敦; 長坂 泰志; 松尾 隆宏
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| ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子 专利
专利号: JP1998135140A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
作者: 松岡 隆志
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| II-VI族半導体レーザおよびその形成法 专利
专利号: JP1995074424A, 申请日期: 1995-03-17, 公开日期: 1995-03-17
作者: 松岡 隆志; 川口 悦弘; 大野 哲一郎
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1994054825B2, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 1994-07-20
作者: 松岡 隆志; 柴田 典義
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| II-VI族半導体発光素子 专利
专利号: JP1997008409A, 公开日期: 1997-01-10
作者: 大野 哲一郎
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