已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 光走査光学装置 专利 专利号: JP5365592B2, 申请日期: 2013-09-20, 公开日期: 2013-12-11 作者: 長岡 敦; 長坂 泰志; 松尾 隆宏
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/23 |
| 光走査光学装置 专利 专利号: JP2012037784A, 申请日期: 2012-02-23, 公开日期: 2012-02-23 作者: 長坂 泰志; 長岡 敦; 松尾 隆宏
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| レーザ光源ユニット 专利 专利号: JP2011035099A, 申请日期: 2011-02-17, 公开日期: 2011-02-17 作者: 草野 秀昭; 長坂 泰志; 長岡 敦; 松尾 隆宏
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| レーザ光学装置 专利 专利号: JP2010123597A, 申请日期: 2010-06-03, 公开日期: 2010-06-03 作者: 松尾 隆宏; 長坂 泰志; 草野 秀昭; 長岡 敦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 光源ユニット及びこれを備えた光走査装置 专利 专利号: JP2010091779A, 申请日期: 2010-04-22, 公开日期: 2010-04-22 作者: 松尾 隆宏; 長坂 泰志; 草野 秀昭; 長岡 敦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| レーザ走査光学装置 专利 专利号: JP2010091799A, 申请日期: 2010-04-22, 公开日期: 2010-04-22 作者: 草野 秀昭; 長岡 敦; 長坂 泰志; 松尾 隆宏
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子 专利 专利号: JP1998135140A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22 作者: 松岡 隆志
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| II-VI族半導体レーザおよびその形成法 专利 专利号: JP1995074424A, 申请日期: 1995-03-17, 公开日期: 1995-03-17 作者: 松岡 隆志; 川口 悦弘; 大野 哲一郎
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP1994054825B2, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 1994-07-20 作者: 松岡 隆志; 柴田 典義
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| II-VI族半導体発光素子 专利 专利号: JP1997008409A, 公开日期: 1997-01-10 作者: 大野 哲一郎
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26 |