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| 複合光デバイスの製造方法 专利
专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08
作者: 鈴木 大輔; 木村 達也; 瀧口 透
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP3718952B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24
作者: 門脇 朋子; 木村 達也; 多田 仁史; 藤原 正敏
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| 半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 专利
专利号: JP3665911B2, 申请日期: 2005-04-15, 公开日期: 2005-06-29
作者: 木村 達也; 石田 多華生; 鈴木 大輔
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| 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1999220209A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10
作者: 瀧口 透; 木村 達也
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1998335756A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者: 鈴木 大輔; 木村 達也; 瀧口 透
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| 半導体レーザ,およびその製造方法 专利
专利号: JP1998209556A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 木村 達也; 小野 健一; 竹見 政義; 宮下 宗治
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| 半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1998190145A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
作者: 竹見 政義; 木村 達也
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| 光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1998022579A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
作者: 鈴木 大輔; 木村 達也
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| 半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利
专利号: JP1998012958A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16
作者: 唐木田 昇市; 早藤 紀生; 木村 達也; 宮下 宗治; 杵築 弘隆
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| リッジ型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1997307182A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
作者: 木村 達也
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