| 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 瀧口 透; 木村 達也 | |
| 1999-08-10 | |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 专利号 | JP1999220209A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 効率や寿命の低下を引き起こすことなく、リーク電流の小さい、低しきい値電流でかつ温度特性の良い半導体レーザ装置を得る。 【解決手段】 この半導体レーザ装置は、InGaAsP活性層3と、その両側面を覆うFeをドーピングした高抵抗のInPコーティング層5を有するストライプ部9と、ストライプ部9の上面を覆い、ストライプ部9の長辺方向に垂直な断面における幅がこのストライプ部9の幅より広いN型AlInAsクラッド層4と、上記ストライプ部9の下面を覆い、ストライプ部9の長辺方向に垂直な断面における幅が上記ストライプ部9の幅より広いP型AlInAsクラッド層2とを具備する。 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 申请日期 | 1998-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧口 透,木村 達也. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1999220209A. 1999-08-10. |
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