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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells 期刊论文 中国物理B：英文版, 2015, 期号: 02 作者:  王强[1,2];  冀子武[1];  王帆[1];  牟奇[1];  郑雨军[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 INGAN  多量子阱结构  蓝色发光  相分离  励磁电源  温度  功率范围  量子点   Wafer-bonding AIGalnP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector 期刊论文 半导体学报：英文版, 2015, 期号: 02 作者:  左致远[1,2];  夏伟[2,3];  王钢[1];  徐现刚[2,3] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 发光二极管  金字塔形  图案制作  反射器  金属  ALGAINP  光提取效率  键合   碳化硅晶体的可见近红外透射光谱分析 期刊论文 2011, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 126-129 作者:  于元勋[1];  连洁[2];  官文栎[1];  王公堂[3];  李娟[4] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 6H—SiC晶体  透射光谱  光学性质   ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中界面结构对发光特性的影响 期刊论文 物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7986-7990 作者:  冀子武[1];  郑雨军[1];  徐现刚[2];  鲁云[3] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 Ⅱ型量子阱  光致发光  界面结构   Detailed Characteristics of Expansion Velocity of Si from Laser Ablated SiC 期刊论文 中国物理快报：英文版, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1768-1771 作者:  陈明[1];  刘向东[1];  孙渝明[2];  杨新梅[1];  赵明文[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 扩张速度  硅  碳化硅  激光