| Wafer-bonding AIGalnP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector | |
| 左致远[1,2]; 夏伟[2,3]; 王钢[1]; 徐现刚[2,3] | |
| 刊名 | 半导体学报：英文版
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| 2015 | |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 发光二极管 金字塔形 图案制作 反射器 金属 ALGAINP 光提取效率 键合 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4769089 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China. 2.INSPUR GROUP Shando-ng Inspur Hua |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左致远[1,2],夏伟[2,3],王钢[1],et al. Wafer-bonding AIGalnP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector[J]. 半导体学报：英文版,2015(02). |
| APA | 左致远[1,2],夏伟[2,3],王钢[1],&徐现刚[2,3].(2015).Wafer-bonding AIGalnP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector.半导体学报：英文版(02). |
| MLA | 左致远[1,2],et al."Wafer-bonding AIGalnP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector".半导体学报：英文版 .02(2015). |
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