已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2010016281A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21 作者: 多田 仁史; 山口 勉; 川津 善平; 大倉 裕二
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体デバイス 专利 专利号: JP3898786B2, 申请日期: 2007-01-05, 公开日期: 2007-03-28 作者: 梶川 靖友; 川津 善平
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 半导体激光装置及其制造方法 专利 专利号: CN1359179A, 申请日期: 2002-07-17, 公开日期: 2002-07-17 作者: 田代贺久; 川津善平; 西口晴美; 八木哲哉; 岛显洋
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導體雷射裝置及其製造方法 专利 专利号: TW465154B, 申请日期: 2001-11-21, 公开日期: 2001-11-21 作者: 川津善平; 宮下宗治; 八木哲哉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体装置及びその製造方法 专利 专利号: JP1998321956A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04 作者: 川津 善平; 中山 毅
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:126/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种半导体光发射器件及其制作方法 专利 专利号: CN1148734A, 申请日期: 1997-04-30, 公开日期: 1997-04-30 作者: 川津善平; 早藤纪生; 迪撒德·马克斯
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:42/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半导体激光二极管及其制造方法 专利 专利号: CN1136720A, 申请日期: 1996-11-27, 公开日期: 1996-11-27 作者: 早藤纪生; 川津善平
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利 专利号: JP1995231142A, 申请日期: 1995-08-29, 公开日期: 1995-08-29 作者: 川津 善平; 木村 達也
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |