| 半導体レーザの製造方法 | |
| 多田 仁史; 山口 勉; 川津 善平; 大倉 裕二 | |
| 2010-01-21 | |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 专利号 | JP2010016281A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】信頼性を確保できる高効率の半導体レーザの製造方法を得る。 【解決手段】GaAs基板10(半導体基板)上に、n型クラッド層12(第1導電型半導体層)、活性層14、p型クラッド層16(第2導電型半導体層)を順番に積層する。p型クラッド層16にリッジ20を形成する。成膜温度600℃前後の熱CVD法により、p型クラッド層16上にSiN膜22(第1の絶縁膜)を形成する。SiN膜22上に、成膜温度300℃前後のプラズマCVD法により、SiN膜24(第2の絶縁膜)を形成する。SiN膜24上に電極26を形成する。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2010-01-21 |
| 申请日期 | 2008-07-07 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73919]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 仁史,山口 勉,川津 善平,等. 半導体レーザの製造方法. JP2010016281A. 2010-01-21. |
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