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| 半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3421836B2, 申请日期: 2003-04-25, 公开日期: 2003-06-30
作者: 山本 知生
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| 半導体装置およびその製造方法、ドライエッチング方法 专利
专利号: JP2000244065A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
作者: 山本 知生
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体素子 专利
专利号: JP1999214787A, 申请日期: 1999-08-06, 公开日期: 1999-08-06
作者: 山本 知生
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| 半導体光素子 专利
专利号: JP1998200189A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31
作者: 山本 知生; 幸前 篤郎
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| 化合物半導体レーザ 专利
专利号: JP2624588B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25
作者: 山本 ▲ミツ▼夫; 山本 知生; 中野 純一; 都築 信頼
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| 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板およびその成長方法 专利
专利号: JP2587150B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05
作者: 山本 ▲ミツ▼夫; 山本 知生; 都築 信頼
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| 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1994090062A, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29
作者: 山本 ▲みつ▼夫; 山本 知生; 中野 純一
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1994029617A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04
作者: 野口 悦男; 松本 信一; 近藤 進; 山本 知生; 近藤 康洋
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