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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法 专利 专利号: CN1333445C, 申请日期: 2007-08-22, 公开日期: 2007-08-22 作者:  马提亚斯·帕斯莱克;  小尼古拉斯·威廉·梅登多普 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26