| GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法 | |
| 马提亚斯·帕斯莱克; 小尼古拉斯·威廉·梅登多普 | |
| 2007-08-22 | |
| 著作权人 | 恩智浦美国有限公司 |
| 专利号 | CN1333445C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法 |
| 英文摘要 | 一种化合物半导体结构，包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8)，从而与之形成界面。在第一层上设置Ga-Gd氧化物的第二层(9)。GaAs基支撑半导体结构可以是GaAs基异质结构，如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式，由于介电结构由紧接着Ga-Gd氧化物层的Ga2O3层形成，提供了同时在氧化物-GaAs界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。Ga2O3层用于形成与GaAs基支撑半导体结构的高质量界面，同时Ga-Gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。 |
| 公开日期 | 2007-08-22 |
| 申请日期 | 2002-12-18 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 恩智浦美国有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马提亚斯·帕斯莱克,小尼古拉斯·威廉·梅登多普. GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法. CN1333445C. 2007-08-22. |
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