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安徽大学 [7]
复旦大学上海医学院 [4]
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期刊论文 [11]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [3]
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Prevalence and Genotypes of Human Parechovirus in Stool Samples From Hospitalized Children in Shanghai, China, 2008 and 2009
期刊论文
JOURNAL OF MEDICAL VIROLOGY, 2011, 卷号: 83, 期号: 8
作者:
Zhong, Huaqing
;
Lin, Yong
;
Sun, Jiae
;
Su, Liyun
;
Cao, Lingfeng
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提交时间:2019/12/19
parechovirus
children
genotype
prevalence
infection
Analysis of Rotavirus NSP4 Genotypes and Age-Dependent Antibody Response against NSP4 in Shanghai, China
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF INFECTIOUS DISEASES, 2010, 卷号: 63, 期号: 4
作者:
Xu, Menghua
;
Fu, Yongfeng
;
Sun, Jiae
;
Zhang, Junqi
;
Feng, Meng
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提交时间:2019/12/19
Molecular Epidemiology of Norovirus Infection Among Children With Acute Gastroenteritis in Shanghai, China, 2001-2005
期刊论文
JOURNAL OF MEDICAL VIROLOGY, 2009, 卷号: 81, 期号: 10
作者:
Xu, Jin
;
Yang, Yi
;
Sun, Jiae
;
Ding, Yunzhen
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提交时间:2019/12/19
norovirus
gastroenteritis
children
genotype
genocluster
genogroup
Molecular epidemiology of rotavirus infections among children hospitalized for acute gastroenteritis in Shanghai, China, 2001 through 2005
期刊论文
JOURNAL OF CLINICAL VIROLOGY, 2009, 卷号: 44, 期号: 1
作者:
Xu, Jin
;
Yang, Yi
;
Sun, Jiae
;
Ding, Yunzhen
;
Su, Liyun
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提交时间:2019/12/19
Rotavirus
Gastroenteritis
Genotype
Children
MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型
期刊论文
安徽大学学报(自然科学版), 2007, 卷号: 第3期, 页码: 38-40
作者:
叶云飞
;
陈军宁
;
金钟
;
代月花
;
孙家讹
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提交时间:2019/04/19
量子效应
多晶硅
阈值电压
栅电容
纳米MOSFET迁移率解析模型
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 第11期, 页码: 6090-6094
作者:
陈军宁
;
胡媛
;
代月花
;
柯导明
;
孙家讹
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提交时间:2019/04/18
玻尔兹曼方程
纳米MOSFET
迁移率
沟道有效电场
多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响
期刊论文
电子科技大学学报, 2006, 卷号: 第6期, 页码: 967-970
作者:
徐超
;
陈军宁
;
代月花
;
柯导明
;
孙家讹
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提交时间:2019/04/18
多晶硅
量子效应
MOSFET
阈值电压
考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 第2期, 页码: 897-901
作者:
陈军宁
;
代月花
;
柯导明
;
孙家讹
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提交时间:2019/04/18
量子效应
阈值电压
反型层
表面势
Analytical model for polysilicon quantization in MOS devices
期刊论文
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: Vol.26 No.11, 页码: 2164-2168
作者:
Xu,Chao
;
Sun,Jiae
;
Chen,Junning
;
Ke,Daoming
;
Dai,Yuehua
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提交时间:2019/04/24
An Analytical Model for Polysilicon Quantization in MOS Devices
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: No.11, 页码: 2164-2168
作者:
Ke DM(柯导名)
;
Xu C(徐超)
;
Chen JN(陈军宁)
;
Dai YH(代月花)
;
Sun JE(孙家讹)
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提交时间:2019/04/24
多晶硅
量子效应
拟合参数
屏蔽长度
电势分布函数
场强分布函数
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