| MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型 | |
| 叶云飞; 陈军宁; 金钟; 代月花; 孙家讹 | |
| 刊名 | 安徽大学学报(自然科学版)
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| 2007 | |
| 卷号 | 第3期页码:38-40 |
| 关键词 | 量子效应 多晶硅 阈值电压 栅电容 |
| ISSN号 | 1000-2162 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2124488 |
| 专题 | 安徽大学 |
| 作者单位 | 安徽大学电子科学与技术学院,安徽大学电子科学与技术学院,安徽大学电子科学与技术学院,安徽大学电子科学与技术学院,安徽大学电子科学与技术学院 安徽合肥230039,安徽合肥230039,安徽合肥230039,安徽合肥230039,安徽合肥230039 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶云飞,陈军宁,金钟,等. MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型[J]. 安徽大学学报(自然科学版),2007,第3期:38-40. |
| APA | 叶云飞,陈军宁,金钟,代月花,&孙家讹.(2007).MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型.安徽大学学报(自然科学版),第3期,38-40. |
| MLA | 叶云飞,et al."MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型".安徽大学学报(自然科学版) 第3期(2007):38-40. |
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