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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP2009200382A, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03 作者:  奥 保成;  小林 祐二;  福田 康彦 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利 专利号: JP3777869B2, 申请日期: 2006-03-10, 公开日期: 2006-05-24 作者:  奥 保成;  亀井 英徳 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利 专利号: JP3684841B2, 申请日期: 2005-06-10, 公开日期: 2005-08-17 作者:  奥 保成;  亀井 英徳 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利 专利号: JP2000174338A, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-06-23 作者:  奥 保成;  亀井 英徳 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13