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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2010016281A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21
作者: 多田 仁史; 山口 勉; 川津 善平; 大倉 裕二
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| 半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP2003069155A, 申请日期: 2003-03-07, 公开日期: 2003-03-07
作者: 谷村 純二; 田代 賀久; 阿部 真司; 笠井 信之; 西口 晴美
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| 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP2000244063A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
作者: 宮下 宗治; 西口 晴美; 島 顕洋; 大倉 裕二
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| 半導体レーザダイオード 专利
专利号: JP1999145547A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者: 西口 晴美; 大倉 裕二
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1998290042A, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27
作者: 森野 寧規; 大倉 裕二; 古森 秀樹
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1998209558A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 大倉 裕二
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| 半導体レーザ,及びその製造方法 专利
专利号: JP1998098234A, 申请日期: 1998-04-14, 公开日期: 1998-04-14
作者: 大倉 裕二; 宮下 宗治; 唐木田 昇市
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| 半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利
专利号: JP1997064452A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
作者: 大倉 裕二
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| 単一波長半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2550502B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-06
作者: 大倉 裕二; 川間 吉竜; 武本 彰; 柿本 昇一
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| 半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1995131110A, 申请日期: 1995-05-19, 公开日期: 1995-05-19
作者: 大倉 裕二; 船場 真司
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