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半導體雷射裝置 专利
专利号: TW201110490A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16
作者:  高瀨禎;  多田仁史;  前原宏昭;  久義浩;  佐久間仁
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2010016281A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21
作者:  多田 仁史;  山口 勉;  川津 善平;  大倉 裕二
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半導体レーザ、半導体レーザの製造方法および評価装置 专利
专利号: JP2007184556A, 申请日期: 2007-07-19, 公开日期: 2007-07-19
作者:  吉田 保明;  冨田 信之;  竹見 政義;  多田 仁史
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半导体激光器 专利
专利号: CN1783605A, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2006-06-07
作者:  山口勉;  西田武弘;  西口晴美;  多田仁史;  吉田保明
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半導体レーザ 专利
专利号: JP3718952B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24
作者:  門脇 朋子;  木村 達也;  多田 仁史;  藤原 正敏
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複合光デバイスの製造方法 专利
专利号: JP2000275460A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
作者:  瀧口 透;  鈴木 大輔;  竹見 政義;  多田 仁史
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半導体レーザの回折格子形成方法 专利
专利号: JP1999163457A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者:  多田 仁史
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999163468A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者:  永井 豊;  多田 仁史
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半導体レーザダイオードとその製造方法 专利
专利号: JP1998321947A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
作者:  永井 豊;  多田 仁史
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1998256640A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者:  多田 仁史;  永井 豊
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