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| Measurement of the integrated Luminosities of cross-section scan data samples around the ψ mass region 期刊论文
统计研究, 2018, 卷号: 第6期, 页码: 5-12
作者: Mai DN(麦迪娜); M.N.Achasov; S.Ahmed; M.Albrecht; M.Alekseev
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| 光半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2010027936A, 申请日期: 2010-02-04, 公开日期: 2010-02-04
作者: 北谷 健; 土屋 朋信; 牧野 茂樹; 深町 俊彦
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| 光分岐モジュール及び信号処理装置 专利
专利号: JP2007057686A, 申请日期: 2007-03-08, 公开日期: 2007-03-08
作者: 岡田 純二; 小関 忍; 木島 勝; 大谷 修; 黒石 範彦
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2005150181A, 申请日期: 2005-06-09, 公开日期: 2005-06-09
作者: 佐藤 宏; 土屋 朋信; 青木 雅博; 北谷 健; ▲高▼橋 範次
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
作者: 北谷 健; 近藤 正彦; 中原 宏治
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| 面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利
专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者: 北谷 健; 近藤 正彦; 中原 宏治; マイク ラルソン
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| GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利
专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者: 近藤 正彦; 北谷 健; 中原 宏治
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| III-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム 专利
专利号: JP2001024282A, 公开日期: 2001-01-26
作者: 近藤 正彦; 北谷 健; 田中 俊明
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