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| 制造半导体器件的方法 专利 专利号: CN101911258A, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08 作者: 中畑成二; 藤原伸介
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| 生长氮化镓晶体的方法 专利 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21 作者: 冈久拓司; 元木健作; 上松康二; 中畑成二; 弘田龙
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| GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 专利 专利号: CN101568671A, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28 作者: 中畑成二; 元木健作
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| GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利 专利号: CN101350333A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 作者: 长田英树; 笠井仁; 石桥惠二; 中畑成二; 京野孝史
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| GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利 专利号: CN101345221A, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14 作者: 笠井仁; 石桥惠二; 中畑成二; 秋田胜史; 京野孝史
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| 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19 作者: 元木健作; 弘田龙; 冈久拓司; 中畑成二
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| 氮化物半导体基板及其制造方法 专利 专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13 作者: 上松康二; 佐藤史隆; 弘田龙; 中畑成二; 中幡英章
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| 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13 作者: 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二
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| 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21 作者: 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二
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