| GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 | |
| 中畑成二; 元木健作 | |
| 2009-10-28 | |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 专利号 | CN101568671A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 |
| 英文摘要 | 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有：第一GaN层形成步骤，在基础衬底上外延生长第一GaN层；凹陷部形成步骤，在第一GaN层形成步骤之后，在基础衬底的上表面上形成凹陷部；以及第二GaN层形成步骤，在凹陷部形成步骤之后，在第一GaN层上外延生长第二GaN层。因而，抑制了裂纹的产生并提高了成品率。 |
| 公开日期 | 2009-10-28 |
| 申请日期 | 2008-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90644]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中畑成二,元木健作. GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法. CN101568671A. 2009-10-28. |
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