GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 | |
中畑成二; 元木健作 | |
2009-10-28 | |
著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
专利号 | CN101568671A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 |
英文摘要 | 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有:第一GaN层形成步骤,在基础衬底上外延生长第一GaN层;凹陷部形成步骤,在第一GaN层形成步骤之后,在基础衬底的上表面上形成凹陷部;以及第二GaN层形成步骤,在凹陷部形成步骤之后,在第一GaN层上外延生长第二GaN层。因而,抑制了裂纹的产生并提高了成品率。 |
公开日期 | 2009-10-28 |
申请日期 | 2008-09-19 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90644] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 中畑成二,元木健作. GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法. CN101568671A. 2009-10-28. |
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