|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 半導体光学素子 专利
专利号: JP2018133466A, 申请日期: 2018-08-23, 公开日期: 2018-08-23
作者: 中村 幸治
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 激光光源模块 专利
专利号: CN101971441A, 申请日期: 2011-02-09, 公开日期: 2011-02-09
作者: 玉谷基亮; 难波织世; 中村聪; 福田圭一; 船冈幸治
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ 专利
专利号: JP2009295879A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
作者: 高橋 博之; 中村 幸治; 久保田 宗親
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 分布帰還型半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2008227367A, 申请日期: 2008-09-25, 公开日期: 2008-09-25
作者: 中村 幸治
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2007019390A, 申请日期: 2007-01-25, 公开日期: 2007-01-25
作者: 中村 幸治
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2000133599A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12
作者: 中村 幸治
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 発振波長可変半導体レーザ 专利
专利号: JP2000049418A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18
作者: 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 光半導体装置 专利
专利号: JP1999261168A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
作者: 山田 光志; 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999202274A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者: 山田 光志; 中村 幸治; 堀川 英明
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| リッジ導波路型半導体光機能素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1999202275A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者: 山田 光志; 中村 幸治
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
