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| II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11 作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体素子 专利 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25 作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 玉村 好司; 田才 邦彦; 朝妻 庸紀 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18 作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 発光装置および画像出力装置 专利 专利号: JP2008244427A, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09 作者: 内田 裕行; 長沼 香; 若林 和弥; 古川 昭夫; 滝口 幹夫 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| レーザダイオード出力制御装置 专利 专利号: JP2002016315A, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-01-18 作者: 永野 雄介; 岩林 一也; 中島 範智; 伊藤 学; 北尻 正広 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP2001345520A, 申请日期: 2001-12-14, 公开日期: 2001-12-14 作者: 中島 博; 橋本 茂樹; 朝妻 庸紀 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 高輝度発光半導体材料の作製方法 专利 专利号: JP2000261100A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22 作者: 吉田 博; 中島 理志 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP2000164512A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16 作者: 奥山 浩之; 中村 文彦; 中島 博 收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 高周波光電変換素子用パッケージ 专利 专利号: JP1995109899B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22 作者: 水島 宜彦; 中嶋 和利; 廣畑 徹; 飯田 孝; 藁料 禎久 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/23 |
| 半導体素子および半導体発光素子 专利 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21 作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26 |