| 半導体素子 | |
| 岸野 克巳; 野村 一郎; 玉村 好司; 田才 邦彦; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健 | |
| 2010-02-25 | |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 专利号 | JP2010045165A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】n型クラッド層に要求される特性を有するn型クラッド層またはp型クラッド層に要求される特性を有するp型クラッド層を備えた半導体素子を提供する。 【解決手段】n型第1クラッド層12Aにおいて、n型キャリア密度をn型第2クラッド層12Bよりも高くし、かつ層厚をn型第2クラッド層12Bよりも厚くすることにより、n型クラッド層12全体のキャリア伝導性を確保する。n型第2クラッド層12Bにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層14よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプII発光を抑制する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-02-25 |
| 申请日期 | 2008-08-12 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,玉村 好司,等. 半導体素子. JP2010045165A. 2010-02-25. |
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