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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2702964B2, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1998-01-26
作者:  茅根 直樹;  魚見 和久;  三島 友義
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半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1996004171B2, 申请日期: 1996-01-17, 公开日期: 1996-01-17
作者:  葛西 淳一;  茅根 直樹;  三島 友義;  白木 靖寛
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