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宽禁带半导体材料的光电特性研究
学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:
王丹丹
收藏
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浏览/下载：85/0
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提交时间：2015/11/30
宽禁带半导体
氧化锌
石墨
碳化硅
硒化锌
晶格动力学
Germanium n+/p shallow junction with record rectification ratio formed by low-temperature preannealing and excimer laser annealing
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2014.2332461, 2014
Wang, Chen
;
Li, Cheng
;
Lin, Guangyang
;
Lu, Weifang
;
Wei, Jiangbin
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
Di, Zengfeng
;
Zhang, Miao
;
李成
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/07/22
Annealing
Excimer lasers
MOSFET devices
Phosphorus
Temperature
Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300
作者:
Huang QiuPing
;
Li BinCheng
;
Ren ShengDong
收藏
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浏览/下载：21/0
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提交时间：2015/04/17
photocarrier radiometry
spectroscopic ellipsometry
photoluminescence
ultra-shallow junctions
silicon
Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon
期刊论文
Science China: Physics, Mechanics and Astronomy, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300
作者:
Huang, Qiuping
;
Li, Bincheng
;
Ren, Shengdong
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2016/11/21
Finite element simulation of pollutant mixing zones in streams entering the Three Gorges Reservoir
期刊论文
2010, 2010
Jiang Chunbo
;
Li Kai
;
Li Ping
;
Cheng Zhiqiang
收藏
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浏览/下载：5/0
The role of surface annihilation in annealing investigated by atomic model simulation
其他
2005-01-01
Yu, M
;
Zhang, X
;
Huang, R
;
Zhang, X
;
Wang, YY
;
Zhang, JY
;
Oka, H
收藏
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浏览/下载：5/0
|
提交时间：2015/11/13
ION-IMPLANTATION
SILICON
DEFECTS
The role of surface annihilation in annealing investigated by atomic model simulation
其他
2005-01-01
Yu, Min
;
Zhang, Xiao
;
Huang, Ru
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yangyuan
;
Zhang, Jinyu
;
Oka, Hideki
收藏
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浏览/下载：1/0
|
提交时间：2015/11/13
Studying shallow junction technology by atomistic modeling
其他
2004-01-01
Yu, Min
;
Huang, Ru
;
Shi, Xiaokang
;
Ji, Huihui
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yangyuan
;
Oka, Hideki
收藏
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浏览/下载：4/0
|
提交时间：2015/11/13
An elevated source/drain-on-insulator structure to maximize the intrinsic performance of extremely scaled MOSFETs
期刊论文
固体电子学, 2003
Zhang, ZK
;
Zhang, SD
;
Feng, CG
;
Chan, MS
收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/11/12
SDOI
STI
double spacer process
parasitic junction capacitance
series resistance
Atomistic simulation for shallow junction formation
期刊论文
2003
Oka, H
;
Suzuki, K
;
Zhang, JY
;
Min, Y
;
Ru, H
收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/11/16
ENHANCED DIFFUSION
ION-IMPLANTATION
SILICON
DEFECT
SI
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