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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 363-365 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Lv, HB;  Liu, Q;  Wang, W 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/05/25 Model  reset instability  resistance random access memory  resistive random access memory (RRAM)   Temperature Instability of Resistive Switching on HfOx-Based RRAM Devices 期刊论文 ieee electron device letters, 2010 Fang, Z.; Yu, H. Y.; Liu, W. J.; Wang, Z. R.; Tran, X. A.; Gao, B.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 Resistive random access memory (RRAM)  resistive switching  temperature instability   Bias temperature instability of binary oxide based reram 其他 2010-01-01 Fang, Z.; Yu, H.Y.; Liu, W.J.; Pey, K.L.; Li, X.; Wu, L.; Wang, Z.R.; Lo, Patrick G.Q.; Gao, B.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13