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科研机构
西安交通大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2016 [1]
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GaAs-InGaAs-GaAs Fin-Array Tunnel Diodes on (001) Si Substrates With Room-Temperature Peak-to-Valley Current Ratio of 5.4
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 24-27
作者:
Li, Qiang
;
Han, Yu
;
Lu, Xing
;
Lau, Kei May
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提交时间:2019/12/02
tunnel diode
peak-to-valley current ratio
quantum-well fins
Aspect ratio trapping
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