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Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2023/06/14
TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570
作者:
Ren, ZX (Ren, Zhexuan)
;
1An, X (An, Xia) 1
;
Li, GS (Li, Gensong) 1
;
Liu, JY (Liu, Jingyi) 1
;
Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/09/22
65 nmhot-carrier injection (HCI)layout-dependent effect (LDE)nMOSstressthreshold voltagetotal ionizing dose (TID)
A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5
作者:
Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ]
;
Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ]
;
Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2020/03/20
Hot carrier effect
PMOS
Total ionizing dose effect
The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection
期刊论文
2018
作者:
Shen, Jingyu
;
Tan, Can
;
Jiang, Rui
;
Li, Wei
;
Fan, Xue
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/09
Abnormal Recovery Phenomenon Induced by Hole Injection During Hot Carrier Degradation in SOI n-MOSFETs
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Lu, Ying-Hsin
;
Chang, Ting-Chang
;
Chen, Li-Hui
;
Lin, Yu-Shan
;
Liu, Xi-Wen
;
Liao, Jih-Chien
;
Lin, Chien-Yu
;
Lien, Chen-Hsin
;
Chang, Kuan-Chang
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Hole injection
hot carrier
impact ionization
abnormal recovery
P-MOSFETS
The Impact of Self-Heating on HCI Reliability in High-Performance Digital Circuits
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Jiang, Hai
;
Shin, SangHoon
;
Liu, Xiaoyan
;
Zhang, Xing
;
Alam, Muhammad Ashraful
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Self-heating
digital circuits
hot carrier injection
reliability
lifetime
MOSFETS
生物质多孔颗粒特性及其高固酶解发酵过程的研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
张玉针
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/03/29
汽爆,高固酶解,固态发酵,生物质,过程强化
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
余德昭
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2016/09/27
MOSFET
辐射效应
NBTI
可靠性
Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer
期刊论文
Microelectronics Reliability, 2016
作者:
Luo WC(罗维春)
;
Yang H(杨红)
;
Wang WW(王文武)
;
Zhu HL(朱慧珑)
;
Zhao C(赵超)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/05/09
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
作者:
Zhou, H (Zhou Hang)
;
Zheng, QW (Zheng Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
;
Yu, XF (Yu Xue-Feng)
;
Guo, Q (Guo Qi)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2016/12/12
silicon-on-insulator
ionizing radiation
hot carriers
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