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内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2016 [1]
2003 [4]
1998 [2]
学科主题
光电子学 [2]
半导体材料 [1]
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Effect of electron avalanche breakdown on a high-purity semi-insulating 4H-SiC photoconductive semiconductor switch under intrinsic absorption
期刊论文
APPLIED OPTICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 11, 页码: 2804-2808
作者:
Xiao, Longfei
;
Yang, Xianglong
;
Duan, Peng
;
Xu, Huayong
;
Chen, Xiufang
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/11
Polytype Stabilization of High-purity Semi-insulating 4H-SiC Crystal via the PVT Method
期刊论文
2016, 卷号: 22, 页码: 197-200
作者:
Mao, Kai-li
;
Wang, Ying-min
;
Wei, Ru-sheng
;
Li, Bin
;
Xu, Wei
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
high-purity semi-insulating
4H-SiC
polytype stabilization
sublimation method
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
作者:
Dong, HW
;
Zhao, YW
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2021/02/02
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
作者:
Dong, HW
;
Zhao, YW
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2021/02/02
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215
Dong, HW
;
Zhao, YW
;
Li, JM
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/09/17
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Dynamics of formation of defects in annealed InP
会议论文
conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/10/29
defects formation
hydrogen related defects
semi-insulating
InP
Formation mechanism of defects in annealed InP
会议论文
spie conference on optoelectronic materials and devices, taipei, taiwan, jul 09-11, 1998
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/10/29
defects formation
hydrogen related defects
semi-insulating
InP
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