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期刊论文 [4]
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发表日期
2019 [1]
2015 [1]
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Heat release and temperature diagnostics for swirling flames using chemiluminescence and absorption tomography
会议论文
Fukuoka, Japan, July 1, 2019 - July 5, 2019
作者:
Lin X(林鑫)
;
Wang KL(王宽亮)
;
Li F(李飞)
;
Yu XL(余西龙)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/11/06
Electron emission properties of cold cathodes based on porous silicon layer processed by electrochemical oxidation and high-pressure water vapor annealing
期刊论文
JOURNAL OF POROUS MATERIALS, 2015, 卷号: 22, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 761-767
作者:
Hu, Wenbo
;
Zhao, Xiaolei
;
Fan, Jinlong
;
Wu, Shengli
;
Zhang, Jingtao
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
Cold cathode
High-pressure water vapor annealing
Electrochemical oxidation
Porous silicon
Switchable wetting and flexible SiC thin film with nanostructures for microfluidic surface-enhanced Raman scattering sensors
期刊论文
sensors and actuators a physical, 2014
Zhang, Xiao-Sheng
;
Meng, Bo
;
Zhu, Fu-Yun
;
Tang, Wei
;
Zhang, Hai-Xia
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
Silicon carbide
Switchable wettability
Flexible materials
SERS
Deep reactive ion etching
DUAL-SCALE STRUCTURES
SILICON-CARBIDE
STRUCTURES FABRICATION
PRESSURE SENSOR
SUPERHYDROPHOBICITY
MEMS
SUPERHYDROPHILICITY
TECHNOLOGY
Thermal crystallization kinetic and electrical properties of partly crystallized amorphous indium oxide thin films sputtering deposited in the presence or the absence of water vapor
期刊论文
journal of thermal analysis and calorimetry, 2013, 卷号: 111, 期号: 2, 页码: 1457-1461
作者:
Wang, Meihan
;
Lei, Hao
;
Seki, Yoshiyuki
;
Seki, Shigeyuki
;
Sawada, Yutaka
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/09/11
Partly crystallized amorphous IO film
Water vapor
Thermal crystallization kinetic
Electrical properties
Electron Emission Properties of Porous Silicon Cold Cathode Prepared on Single-crystal Silicon by Anodic Etching and Oxidation Method
会议论文
作者:
Luo, W.
;
Hu, W. B.
;
Yang, Z.
;
Song, Z. X.
;
Wu, H. Y.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/10
planar cold cathode
high-pressure water vapor annealing
electrochemical oxidation
porous silicon
Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:231/30
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提交时间:2010/08/12
in situ laser reflectometry
lateral overgrowth
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
BUFFER LAYER
THREADING DISLOCATIONS
TEMPERATURE
EVOLUTION
SURFACE
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