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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfacial traps and mobile ions induced flatband voltage instability in 4H-SiC MOS capacitors under bias temperature stress 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52 作者:  Yang, Chao;  Gu, Zhenghao;  Yin, Zhipeng;  Qin, Fuwen;  Wang, Dejun 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 4H-SiC  MOS capacitor  bias temperature stress  flatband voltage instability  interfacial traps  mobile ions   Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors 会议论文 Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018) 作者:  Yang C(杨超);  Wang DJ(王德君) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/02