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	Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors
	Yang C(杨超); Wang DJ(王德君)
	2018
会议名称	Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018)
页码	13-26
会议录	Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018)
URL标识	查看原文
WOS记录号	[DB:DC_IDENTIFIER_WOSID]
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3276305
专题	大连理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Yang C,Wang DJ. Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[C]. 见:Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018).

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