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Modification of back electrode structure by a Mo intermediate layer for flexible CZTS thin film solar cells
期刊论文
MICRO & NANO LETTERS, 2018, 卷号: 13, 页码: 237-242
作者:
Long, Bo
;
Cheng, Shuying
;
Yue, Chuang
;
Dong, Limei
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/11/21
carrier recombination centres
soda-lime glass
aluminium
semiconductor thin films
nickel
conversion efficiency
molybdenum
back electrode structure
zinc compounds
electrochemical electrodes
solar cells
Mo-Cu2ZnSnS4-CdS-ZnO-ZnO:Al-Ni-Al
flexible thin film solar cells
cadmium compounds
wide band gap semiconductors
interface matching
intermediate layer
II-VI semiconductors
copper compounds
tin compounds
Charge-sensitive deep level transient spectroscopy of helium-ion-irradiated silicon, as-irradiated and after thermal annealing
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 246-250
作者:
Li Bing-Sheng
;
Zhang Hong-Hua
;
Zhou Li-Hong
;
Yang Yi-Tao
;
Zhang Chong-Hong
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2009/11/20
helium-ion irradiation
defect activation energy
charge-sensitive deep level transient spectroscopy
Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in gainnas/gaas quantum wells
期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569
作者:
Sun Zheng
;
Wang Bao-Rui
;
Xu Zhong-Ying
;
Sun Bao-Quan
;
Ji Yang
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  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569
Sun Z (Sun Zheng)
;
Wang BR (Wang Bao-Rui)
;
Xu ZY (Xu Zhong-Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/04/11
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
Carrier capture cross-section of nonradiative recombination centres introduced by proton implantation in GaAs
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1325-1328
Guo, XG
;
Lu, W
;
Chen, XS
;
Cao, JC
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/12/17
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
WAVE BASIS-SET
N-TYPE GAAS
THERMAL-STABILITY
LAYERS
SEMICONDUCTORS
IRRADIATION
DEFECTS
Numerical simulation of nc-Si : H/c-Si heterojunction solar cells
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 217
Hu, ZH
;
Liao, XB
;
Zeng, XB
;
Xu, YY
;
Zhang, SB
;
Diao, HW
;
Kong, GL
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/24
SILICON HETEROJUNCTION
LAYER
Numerical simulation of nc-Si : H/c-Si heterojunction solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 217-224
Hu ZH
;
Liao XB
;
Zeng XB
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Diao HW
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/08/12
nc-Si : H/c-Si hetero-junction
solar cell
computer simulation
SILICON HETEROJUNCTION
LAYER
Electroluminescent semiconductor devices method of machining a fixing slot in a fixed b
专利
专利号: GB1435135A, 申请日期: 1976-05-12, 公开日期: 1976-05-12
作者:
-
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提交时间:2019/12/26
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