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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ZrO2 insulator modified by a thin Al2O3 film to enhance the performance of InGaZnO thin-film transistor 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2014, 卷号: 54, 页码: 2401-2405 作者:  Ding, Xingwei[1];  Zhang, Jianhua[2];  Zhang, Hao[3];  Ding, He[4];  Huang, Chuanxin[5] 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/04/30 IGZO thin-film transistor  ZrO2-Al2O3 bilayer gate insulator  ALD  Bias stability