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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)   SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6 作者:  Cai, C.;  Zhao, P. X.;  Xu, L. W.;  Liu, T. Q.;  Li, D. Q. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/01/19 UTBB FDSOI  Radiation hardened  8T  SRAM  Single event upset   Characteristics of Single Event Upsets induced by Heavy Ions in 28nm UTBB-FDSOI SRAM with Several Types of Radiation Harden Bit-cells 会议论文 作者:  Bo Mei;  Qingkui Yu;  Yong Ge;  Yi Sun;  Hongwei Zhang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/10 Total Ionizing Dose Characterization of a SRAM in 28nm UTBB FDSOI Technology 会议论文 作者:  Qiwen Zheng;  mengxin Liu;  Jiangwei Cui;  Shanxue Xi;  Ying Wei 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/10 Approximate Computing in MOS/Spintronic Non-Volatile Full-Adder 会议论文 Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), 2016-01-01 作者:  Cai, Hao;  Wang, You;  Naviner, Lirida A. B.;  Wang, Zhaohao;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 Approximate computing  UTBB-FDSOI  magnetic tunnel junction  nonvolatile full adder  ultra low power