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1 cm(2) Organic Photovoltaic Cells for Indoor Application with over 20% Efficiency
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2019
作者:
Cui, Yong
;
Yao, Huifeng
;
Zhang, Tao
;
Hong, Ling
;
Gao, Bowei
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2019/09/30
LED apparatuses and methods for high lumen output density
专利
专利号: US20190027658A1, 申请日期: 2019-01-24, 公开日期: 2019-01-24
作者:
GOULD, TROY
;
BLAKELY, COLIN KELLY
;
REIHERZER, JESSE COLIN
;
HARDIN, CRAIG WILLIAM
收藏
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Light Extraction Analysis of A1GaInP Based Red and GaN Based Blue/Green Flip-Chip Micro-LEDs Using the Monte Carlo Ray Tracing Method
期刊论文
Micromachines, 2019, 卷号: 10, 期号: 12, 页码: 13
作者:
S.Y.Lan
;
H.Wan
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/08/24
micro-scale light emitting diode,light extraction efficiency,sapphire,substrate,encapsulation,emitting-diodes,high-power
Light emitting diode (LED) devices, components and methods
专利
专利号: US20180145059A1, 申请日期: 2018-05-24, 公开日期: 2018-05-24
作者:
WELCH, ERIN R.F.
;
BLAKELY, COLIN KELLY
;
REIHERZER, JESSE COLIN
;
HUSSELL, CHRISTOPHER P.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/30
Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45
作者:
Guo, Wei
;
Xie, Weiping
;
Chee, Kuan W. A.
;
Zeng, Yuheng
;
Ye, Jichun
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/12/04
Surface-plasmons
Quantum-wells
Nanoparticles
Emission
Algan
Suppression
Efficiency
Ingan/gan
Emitters
Ag
Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Ye, Jichun
;
Zeng, Yuheng
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/12/04
Surface-plasmons
Quantum-wells
Nanoparticles
Emission
Algan
Suppression
Efficiency
Ingan/gan
Emitters
Ag
Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
ACS Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, Meixin
;
Li, Zengcheng
;
Wang, Jin
;
Zhou, Rui
;
Sun, Qian
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/09/17
Ultraviolet lasers
Aluminum alloys
Aluminum gallium nitride
Aluminum nitride
Defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Lasers
Lattice mismatch
Quantum well lasers
Semiconductor alloys
Semiconductor quantum wells
Stresses
Thermal expansion
Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Wang, J.
;
Zhou, R.
;
Sun, Q.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
near-ultraviolet
laser
Si substrate
stress
defect
light-emitting-diodes
gan
efficiency
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Optics
Physics
Light-emitting diode and method for preparing the same
专利
专利号: US9087933, 申请日期: 2015-07-21, 公开日期: 2015-07-21
作者:
XU, JIN
;
WANG, JIANGBO
;
LIU, RONG
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/12/24
Laser diode device and method of manufacturing laser diode device
专利
专利号: US8891568, 申请日期: 2014-11-18, 公开日期: 2014-11-18
作者:
FUTAGAWA, NORIYUKI
;
NAKAJIMA, HIROSHI
;
YANASHIMA, KATSUNORI
;
KYONO, TAKASHI
;
ADACHI, MASAHIRO
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/24
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