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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical Characterization of Sidewall Insulation Layer of TSV 其他 2010-01-01 Sun, Xin; Ji, Ming; Ma, Shenglin; Zhu, Yunhui; Kang, Wenping; Miao, Min; Jin, Yufeng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/16 TEOS-PECVD  FILMS   Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition of borophosphosilicate glass films 外文期刊 2008 作者:  Yin, MH;  Zhao, LL;  Xu, XY;  Wang, SG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Discharge  Sio2  Teos  Cvd   PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响 期刊论文 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 1-4 作者:  韩郑生;  杨建军;  李俊峰;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子损伤  保护介质层  Pecvd   采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2009/06/11 采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文） 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 543 雷红兵; 王红杰; 邓晓清; 杨沁清; 胡雄伟; 王启明; 廖左升; 杨基南 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23