采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）

	采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）
	雷红兵 ; 王红杰 ; 邓晓清 ; 杨沁清 ; 胡雄伟 ; 王启明 ; 廖左升 ; 杨基南
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:5 页码:543
中文摘要	开展了使用TEOS和H_2O混合物进行PECVD生长SiO_2膜的研究工作。氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围，且随偏离中心距离基本不变。薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超过±1.5%(51mm衬底)。利用TEOS源PECVD，并结合退火技术，摸索出厚膜氧化硅生长工艺，已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜，可用于制备氧化硅平面波导器件。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家973计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18695]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	雷红兵,王红杰,邓晓清,等. 采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(5):543.
APA	雷红兵.,王红杰.,邓晓清.,杨沁清.,胡雄伟.,...&杨基南.(2001).采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）.半导体学报,22(5),543.
MLA	雷红兵,et al."采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）".半导体学报 22.5(2001):543.