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AlGaN-Based Self-Powered Solar-Blind UV Focal Plane Array Imaging Photosensors: Material Growth, Device Preparation, and Functional Verification
期刊论文
IEEE Sensors Journal, 2023, 卷号: 23, 期号: 18, 页码: 20536-20542
作者:
Y. Chen, X. Fan, Z. Zhang, G. Miao, H. Jiang and H. Song
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提交时间:2024/07/01
Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing
期刊论文
Chinese Physics B, 2022, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 6
作者:
J. W. Ben
;
J. L. Luo
;
Z. C. Lin
;
X. J. Sun
;
X. K. Liu and X. H. Li
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提交时间:2023/06/14
Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates
期刊论文
Materials Letters, 2020, 卷号: 281, 页码: 4
作者:
Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,H. Jiang,Z. M. Li and H. Song
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提交时间:2021/07/06
Effect of interlayer design on friction and wear behaviors of CrAlSiN coating under high load in seawater
期刊论文
RSC ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 10, 页码: 5596-5607
作者:
Wang, Yongxin
;
Li, Xiaogang
;
Liu, Zhiyong
;
Liu, Wei
;
Zhang, Dawei
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提交时间:2018/12/04
Stress-corrosion Cracking
Mechanical-properties
Crn Coatings
Tribological Performance
Pipeline Steel
Thin-films
Arc
Temperature
Alloy
Bias
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Jiang, H.
;
Li, Z. M.
;
Miao, G. Q.
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提交时间:2019/09/17
threading dislocations
nucleation layer
gan
temperature
sapphire
Materials Science
Physics
Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/12/31
high electron mobility transistor
two-dimensional electron gas
GaN
GaN Films Grown on Si (111) Substrates Using a Composite Buffer with Low Temperature AlN Interlayer
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 2
Fang, YT
;
Jiang, Y
;
Deng, Z
;
Zuo, P
;
Chen, H
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/04/14
Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1)
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
作者:
Wei, Meng
;
Wang, Xiaoliang
;
Pan, Xu
;
Xiao, Hongling
;
Wang, CuiMei
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Mocvd
Si(111)
Aln
Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wei Meng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Pan Xu
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wei Meng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Pan Xu
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/02/02
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