×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [20]
微电子研究所 [20]
沈阳自动化研究所 [7]
成都理工大学 [4]
湖南大学 [4]
清华大学 [3]
更多...
内容类型
期刊论文 [46]
其他 [12]
会议论文 [11]
学位论文 [6]
专著 [2]
发表日期
2018 [4]
2017 [3]
2016 [12]
2015 [5]
2014 [5]
2013 [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共77条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Advanced Extensible Crossbar Protocol for Connecting Multi-Cores and Shared-Memory on Chip
会议论文
Beijing,China, 2018,6.15-17
作者:
Hongyu,Meng
;
Donglin,Wang
;
Zijun,Liu
;
Yang,Guo
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/06
Interconnect
Crossbar
Multi-cores
Shared-memory
Efficient ab initio analysis of quantum confinement and band structure effects in ultra-scaled Si1-xGex gate-all-around and fin field-effect transistors for sub-10 nm technology nodes
期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 2018, 卷号: Vol.17 No.4, 页码: 1399-1409
作者:
Liu, J
;
Tang, CX
;
Mo, PH
;
Lu, JW
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/26
FinFET
GAAFET
Quantum confinement
Silicon germanium
Density functional theory
Bandgap
Efficient ab initio analysis of quantum confinement and band structure effects in ultra-scaled Si1?xGex gate-all-around and fin field-effect transistors for sub-10?nm technology nodes
期刊论文
Journal of Computational Electronics, 2018, 卷号: Vol.17 No.4, 页码: 1399-1409
作者:
Liu, Jie
;
Tang, Chuanxiang
;
Mo, Pinghui
;
Lu, Jiwu
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/26
基于DDR4 SDRAM的光电图像实时存储技术研究
学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
武春锋
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2019/09/23
DDR4
内存控制器
FPGA
周期分散刷新
三缓存
Comparative Study on RTN Amplitude in Planar and FinFET Devices
其他
2017-01-01
Zhang, Zexuan
;
Zhang, Zhe
;
Guo, Shaofeng
;
Wang, Runsheng
;
Wang, Xingsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Impact of quantum confinement on transport and the electrostatic driven performance of silicon nanowire transistors at the scaling limit
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017
Al-Ameri, Talib
;
Georgiev, Vihar P.
;
Sadi, Toufik
;
Wang, Yijiao
;
Adamu-Lema, Fikru
;
Wang, Xingsheng
;
Amoroso, Salvatore M.
;
Towie, Ewan
;
Brown, Andrew
;
Asenov, Asen
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
CMOS
Electrostatics
Nanowire transistors
Performance
Quantum effects
TCAD
GATE
SIMULATION
INVERSION
MULTIGATE
MOSFETS
NM
一种应用于MCU待机模式的超低功耗LDO设计
期刊论文
微处理机, 2017, 期号: 6, 页码: 33-36
作者:
张超
;
张志鹏
;
刘铁锋
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2018/01/25
微控制器
LDO电路
低功耗
待机模式
输出级
上电复位
沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究
期刊论文
2016, 2016
胡梦月
;
梁仁荣
;
王敬
;
许军
;
HU Mengyue
;
LIANG Renrong
;
WANG Jing
;
XU Jun
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
Optimization of speeded-up robust feature algorithm for hardware implementation
期刊论文
2016, 2016
CAI ShanShan
;
LIU LeiBo
;
YIN ShouYi
;
ZHOU RenYan
;
ZHANG WeiLong
;
WEI ShaoJun
;
CAI ShanShan
;
LIU LeiBo
;
YIN ShouYi
;
ZHOU RenYan
;
ZHANG WeiLong
;
WEI ShaoJun
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
长期演进(LTE)中基于ASIC速率匹配算法的并行设计
期刊论文
2016, 2016
刘涛
;
汪玉
;
LIU Tao
;
WANG Yu
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace