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一种VCSEL芯片制备方法
专利
专利号: CN110190514A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:
田宇
;
韩效亚
;
吴真龙
;
杜石磊
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/30
一种Bragg反射镜结构设计方法
专利
专利号: CN109459810A, 申请日期: 2019-03-12, 公开日期: 2019-03-12
作者:
陈炜
;
朱京平
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
Two-dimensional fluid simulation of a radio frequency capacitively coupled plasma in SiH4/N-2/O-2
期刊论文
PHYSICS OF PLASMAS, 2018, 卷号: 25
作者:
Jia, Wen-Zhu
;
Liu, Rui-Qiang
;
Wang, Xi-Feng
;
Liu, Xiang-Mei
;
Song, Yuan-Hong
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/02
Controllable a-Si:H/c-Si interface passivation by residual SiH4 molecules in H-2 plasma
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 174, 页码: 233-239
作者:
Liu, Wenzhu
;
Zhang, Liping
;
Cong, Shiyuan
;
Chen, Renfang
;
Wu, Zhuopeng
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/12/02
Residual SiH4
PECVD
Silicon heterojunction solar cell
A-Si:H/c-Si interface
C-Si surface passivation
pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者:
Zhao C(赵超)
;
Wang GL(王桂磊)
;
Luo J(罗军)
;
Liu JB(刘金彪)
;
Yang T(杨涛)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/07/05
Two-dimensional fluid simulation on transient behavior and plasma uniformity in pulsed RF CCP sustained in SiH4/N-2/O-2
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 50
作者:
Jia, Wen-Zhu
;
Wang, Xi-Feng
;
Song, Yuan-Hong
;
Wang, You-Nian
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
pulse modulation
SiH4/N-2/O-2 discharge
plasma uniformity
射频容性耦合SiH4/Ar放电中反转电场及电子能量分布的模拟
会议论文
第十八届全国等离子体科学技术会议, 中国陕西西安, 2017-07-01
作者:
王喜凤
;
宋远红
;
戴忠玲
;
王友年
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/02
射频
容性耦合
SiH4/Ar混合气体
反转电场
电子能量分布
二维流体模拟SiH_4/N_2/O_2放电中均匀性改善和前驱物的研究
会议论文
第十八届全国等离子体科学技术会议, 中国陕西西安, 2017-07-01
作者:
贾文柱
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
SiH4/N2/O2
均匀性
前驱物
Hybrid simulation of electron energy distributions and plasma characteristics in pulsed RF CCP sustained in Ar and SiH4/Ar discharges
期刊论文
PHYSICS OF PLASMAS, 2017, 卷号: 24, 页码: -
作者:
Wang, Xi-Feng
;
Jia, Wen-Zhu
;
Song, Yuan-Hong
;
Zhang, Ying-Ying
;
Dai, Zhong-Ling
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/03
Improved short-circuit current density of a-Si:H thin film solar cells with n-type silicon carbide layer
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 3955-3961
作者:
Yang, Weiguang
;
Duan, Juanmei
;
Wang, Weiyan
;
Li, Hongjiang
;
Huang, Jinhua
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/12/25
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