×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [23]
半导体研究所 [3]
厦门大学 [2]
微电子研究所 [2]
合肥物质科学研究院 [2]
长春光学精密机械与物... [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [19]
其他 [12]
会议论文 [2]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2023 [1]
2021 [1]
2017 [1]
2015 [5]
2014 [3]
2011 [4]
更多...
学科主题
半导体材料 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共35条，第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in β-Ga
2
O
3
power diodes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123
作者:
Liu, Jinyang
;
Han, Zhao
;
Ren, Lei
;
Yang, Xiao
;
Xu, Guangwei
收藏
|
浏览/下载：10/0
|
提交时间：2023/11/10
Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70
作者:
Xu Da-Lin
;
Wang Yu-Qi
;
Li Xin-Hua
;
Shi Tong-Fei
收藏
|
浏览/下载：45/0
|
提交时间：2021/04/26
trench-gate-type super barrier rectifier
charge coupling
breakdown voltage
stepped oxide
SiC power MOSFET with monolithically integrated Schottky barrier diode for improved switching performances
会议论文
Nuremberg, Germany, 2017-05-16
作者:
Dai, Xiaoping
;
Jiang, Huaping
;
Zheng, Changwei
;
Ke, Maolong
收藏
|
浏览/下载：13/0
|
提交时间：2018/03/07
半导体器件及其制造方法
专利
专利号: US9012965, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2012-07-19
作者:
罗军
;
赵超
收藏
|
浏览/下载：13/0
|
提交时间：2016/09/19
Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2017/12/03
SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN
MOSFET
PERFORMANCE
SIMULATION
FINFETS
LEAKAGE
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections
其他
2015-01-01
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2017/12/04
SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN
MOSFET
PERFORMANCE
SIMULATION
FINFETS
LEAKAGE
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
其他
2015-01-01
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：5/0
|
提交时间：2017/12/04
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
期刊论文
2014
张茂添
;
刘冠洲
;
李成
;
王尘
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
|
浏览/下载：5/0
|
提交时间：2016/05/17
Ge/SiGe异质结构
肖特基势垒
关态电流
迁移率
掺杂
Ge /SiGe heterosturcture
Schottky barrier
off-state current
mobility
doping
Investigation of ZrGe Schottky source/drain contacts for Ge p-channel MOSFETs
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 期号: 26, 页码: 614-619
Yang H.
;
Gao J.
;
Nakashima H.
收藏
|
浏览/下载：11/0
|
提交时间：2015/04/24
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace
