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| 一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法 专利 申请日期: 2021-02-19, 作者: 郑齐文; 崔江维; 余学峰; 李豫东; 郭旗
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| 一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构 专利 专利号: CN110176718A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27 作者: 郑婉华; 陈忠浩; 渠红伟; 贾宇飞; 林海鹏
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| 半导体结构以及形成半导体结构的方法 专利 专利号: CN105990391B, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26 作者: 蔡劲; E·里欧班端; 李宁 ; 宁德雄; J-O·普卢查特
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| 一种SOI混合集成激光器及其制备方法 专利 专利号: CN109921282A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21 作者: 陈思乡; 宋泽; 张奇; 吕康伟; 唐山
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| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 赵京昊
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| 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 专利 专利号: CN109638648A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16 作者: 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 于红艳; 杨文宇
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26 作者: 唐兆云 ; 闫江 ; 唐波 ; 贾宬; 王大海![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310185788.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26 作者: 唐兆云 ; 闫江![](/image/person.jpg)
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410710028.4, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-06-22 作者: 唐兆云 ; 徐烨锋; 唐波 ; 王红丽 ; 许静![](/image/person.jpg)
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410478359.X, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2016-04-13 作者: 徐烨锋; 闫江 ; 唐兆云 ; 唐波 ; 许静![](/image/person.jpg)
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