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Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer
期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:
Dai, Lihua
;
Bi, Dawei
;
Ning, Bingxu
;
Hu, Zhiyuan
;
Song, Lei
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/05/09
Buried oxide
Interface trap
Silicon ion implantation
Soi nmosfets
Total dose radiation
Precipitates and defects in silicon co-implanted with helium and oxygen
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 8, 页码: 739-744
作者:
Zhang, Y.
;
Yang, Y. T.
;
Zhang, L. Q.
;
Li, B. S.
;
Zhang, C. H.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/10/15
Ion implantation
SIMOX
Vacancy-type defects
Precipitates
TEM
Fabrication of sub-100-nm silicon nanowire devices on SOI wafer by CMOS compatible fabrication process
其他
2010-01-01
Sun, L.N.
;
Lee, T.M.H.
;
Yang, Z.C.
;
Yan, G.Z.
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/13
LEO卫星地面干扰站的设计
期刊论文
微计算机信息, 2010, 期号: 24
赵星惟
;
吕源
;
龚文斌
;
梁旭文
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
SIMOX
SOI
总剂量辐射效应
Pseudo-MOS晶体管
两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究
期刊论文
科学通报, 2010, 期号: 19
魏星
;
薛忠营
;
武爱民
;
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;
李显元
;
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;
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;
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;
张波
;
林成鲁
;
张苗
;
王曦
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/01/06
相变存储器
驱动二极管
串扰电流
TCAD
Development of indium bumping technology through AZ9260 resist electroplating
期刊论文
JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2010, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 55035-55035
Huang, QP
;
Xu, GW
;
Yuan, Y
;
Cheng, X
;
Luo, L
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
NI-P
HYBRID
METALLIZATION
DETECTOR
SOLDER
Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Liu, XY
;
Du, XF
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Chu, PK
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
N-MOSFETS
SILICON
FABRICATION
TECHNOLOGY
LAYERS
RELAXATION
ELECTRON
SIMOX
SOI
传感器网络技术与标准化连载(二) 传感器网络系统架构与标准体系分析
期刊论文
信息技术与标准化, 2009, 期号: 12
沈杰
;
邢涛
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/01/06
SOI
SIMOX
Pseudo-MOSFET
隐埋氧化层
Gettering layer for oxygen accumulation in the initial stage of SIMOX processing
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 8-9, 页码: 1273-1276
Ou, X
;
Kogler, R
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Gerlach, JW
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
ON-INSULATOR MATERIAL
BURIED OXIDE
IMPLANTED SILICON
ENERGY
REGION
WAFERS
UHF频段OFDM移动多媒体传感器网络节点射频模块研究
期刊论文
通信学报, 2008, 期号: 09
庞瑞帆
;
姜建
;
王营冠
;
张宏俊
;
刘海涛
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/01/06
SOI
SIMOX
热导率
边界热阻
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