QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum nanostructure semiconductor laser 专利 专利号: US20060050753A1, 申请日期: 2006-03-09, 公开日期: 2006-03-09 作者:  OGURA, MUTSUO 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates 期刊论文 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5 Niu ZC; Notzel R; Jahn U; Schonherr HP; Fricke J; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index substrates  molecular beam epitaxy (MBE)  patterned growth  three-dimensionally confined nanostructures  SIDEWALL QUANTUM WIRES  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Self-limiting mbe growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned gaas(311)a substrates 期刊论文 Journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Niu, ZC;  Notzel, R;  Jahn, U;  Schonherr, HP;  Fricke, J 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 High-index substrates  Molecular beam epitaxy (mbe)  Patterned growth  Three-dimensionally confined nanostructures