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Quantum well lasers with broad spectra based on Bragg reflection waveguide
期刊论文
Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 卷号: 36, 期号: 3
作者:
Li, Z.
;
L. J. Wang
;
G. Y. Hou
;
T. Wang
;
Z. F. Lu
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/06/13
Numerical simulation of thermo-mechanical behavior in high power diode laser arrays
会议论文
17th international conference on electronic packaging technology, icept 2016, wuhan, china, 2016-08-16
作者:
Lu, Yao
;
Nie, Zhiqiang
;
Zhang, Pu
;
Wang, Zhenfu
;
Xiong, Lingling
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2016/11/22
Computer simulation
Electronics packaging
High power lasers
Numerical models
Occupational risks
Optical properties
Packaging
Power semiconductor diodes
Shear stress
Thermal stress
Experiment of restraint of atmospheric turbulence using diversity technology based on analysis of offshore laser communication
期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2016, 卷号: 45, 期号: 3
作者:
Li, Y.
;
S. Gao and L. Sheng
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/09/11
Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
Characterization of diode-pumped laser operation of a novel Yb : GSO crystal
期刊论文
ieee j. quantum electron., 2006, 卷号: 42, 期号: 5-6, 页码: 517, 521
Xue YH
;
Wang CY
;
Liu QW
;
Li YF
;
Chai L
;
严成锋
;
赵广军
;
苏良碧
;
徐晓东
;
Xu J
收藏
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浏览/下载:1198/258
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提交时间:2009/09/24
continuous-wave (CW) mode locking
diode-pumped lasers
Q-switched mode locking
Yb : GSO crystal
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 218-225
Xu, GY
;
Li, AZ
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
TEMPERATURE CW-OPERATION
QW DIODE-LASERS
MU-M
BAND-STRUCTURE
OPTICAL GAIN
ALGAASSB
GASB
ALLOYS
Optical gain of InGaAsSb/AlGaAsSb type-I long wavelength quantum-well lasers
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2003, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 827-833
Xu, GY
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
TEMPERATURE CW-OPERATION
QW DIODE-LASERS
MU-M
BAND-STRUCTURE
ALGAASSB
GASB
ALLOYS
Photonic switch and NOT logic gate based on the hybrid integration of a GaAsVCSEL and a GaAs MISS
期刊论文
chinese journal of electronics, 2000, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 21-24
Kang XJ
;
Lin SM
;
Liao QW
;
Cheng P
;
Gao JH
;
Liu SA
;
Wang HJ
;
Zhang CH
;
Wang QM
;
Du GT
;
Liu Y
;
Li XM
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductor lasers
photonics
epitaxial growth
optical switch
VERTICAL-CAVITY LASERS
OXIDATION
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/10/29
InGaAsP
strained layer quantum well
laser diode
MOCVD
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