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	Electronic and Topological Properties of Ultraflat Stanene Functionalized by Hydrogen and Halogen Atoms 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 页码: 7 作者: Zhao, Huiyan; Zhu, Pengfei; Wang, Qian; Cao, Huawei; Wu, Ge 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2021/12/01 Ultraflat stanene first-principles calculations functionalization electronic and topological properties
	Coulomb effects on topological band inversion in the moire of WSe2/BAs heterobilayer 期刊论文 2D MATERIALS, 2019, 卷号: Vol.6 No.4 作者: Zhu, QZ; Tong, QJ; Sun, HZ; Wang, Y; Yao, W 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/12/17 heterobilayer Coulomb interaction QSH insulator moire pattern
	Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals 期刊论文 Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090 作者: Xu, H.; Han, D.; Bao, Y.; Cheng, F.; Ding, Z. J. 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2019/09/17 Two-dimensional materials MoSv phase transition quantum spin Hall effect (QSH) scanning tunneling microscopy (STM) single-layer mos2 generalized gradient approximation transition-metal dichalcogenides molybdenum-disulfide nanosheets monolayer stabilization intercalation 1t-mos2 mote2 Chemistry Science & Technology - Other Topics Materials Science Physics
	Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals 期刊论文 Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090 作者: Xu, H.; Han, D.; Bao, Y.; Cheng, F.; Ding, Z. J. 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/09/17 Two-dimensional materials MoSv phase transition quantum spin Hall effect (QSH) scanning tunneling microscopy (STM) single-layer mos2 generalized gradient approximation transition-metal dichalcogenides molybdenum-disulfide nanosheets monolayer stabilization intercalation 1t-mos2 mote2 Chemistry Science & Technology - Other Topics Materials Science Physics
	Floquet Topological Insulator in the BHZ Model with the Polarized Optical Field 期刊论文中文 Physics Letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 4 Zhu H. X.; Wang T. T.; Gao J. S.; Li S. A.; Sun Y. J.; Liu G. L. 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2015/04/24
	Large-Gap Quantum Spin Hall Insulator in Single Layer Bismuth Monobromide Bi4Br4 期刊论文 NANO LETTERS, 2014, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 4767 Zhou, JJ; Feng, WX; Liu, CC; Guan, S; Yao, YG 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2015/04/14 Quantum spin Hall insulator topological edge states dissipationless transport bismuth monobromide two-dimensional materials first-principles calculations
	Connectivity of edge and surface states in topological insulators 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2011, 卷号: 84, 期号: 20 Jiang, YJ; Lu, F; Zhai, F; Low, T; Hu, JP 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2014/02/20 HGTE QUANTUM-WELLS DIRAC ELECTRONS GRAPHENE PHASE
	Electron tunneling through a planar single barrier in hgte quantum wells with inverted band structures 期刊论文 Physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 6 作者: Zhang, L. B.; Zhai, Feng; Chang, Kai 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2019/05/12
	The quantum spin Hall effect: Theory and experiment 期刊论文 2010, 2010 Koenig, Markus; Buhmann, Hartmut; Molenkamp, Laurens W.; Hughes, Taylor; Liu, Chao-Xing; Qi, Xiao-Liang; Zhang, Shou-Cheng 收藏 \| 浏览/下载：1/0
	Electron tunneling through a planar single barrier in HgTe quantum wells with inverted band structures 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: art. no. 235323 Zhang LB (Zhang L. B.); Zhai F (Zhai Feng); Chang K (Chang Kai) 收藏 \| 浏览/下载：151/8 \| 提交时间：2010/07/18 INSULATOR SURFACE PHASE

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