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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 461-466 作者:  Wang YS(王永顺);  Li HR(李海蓉);  Wu R(吴蓉);  Li SY(李思渊) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 电力静电感应晶闸管  反向转折  电子-空穴等离子体  寿命  注入水平  Electron hole plasma  Injection level  Lifetime  Power static induction thyristor (SITH)  Reverse snapback phenomena (RSP)