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清华大学 [1]
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内容类型
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2014 [1]
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The Analysis of Element and Measure Analysis of NMR Spectrum and XRD Spectrum for High Purity 3,4,9,10 Perylenetetracarboxylic Dianhydride-PTCDA
期刊论文
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2016, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 3714-3719
作者:
Zhang, X
;
Zhang, J
;
Yan, ZW
;
Shao, YB
;
Zhang, FJ
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
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提交时间:2017/05/08
High purified PTCDA
Element analysis
Nuclear magnetic resonance spectrum
X-ray diffraction spectrum
The molecular structure
高纯度PTCDA
元素分析
核磁共振谱
X射线衍射谱
分子结构
高纯度3,4,9,10 Perylenetetracarboxylic Dianhydride-PTCDA的元素分析及核磁共振谱和X射线衍射谱的测试与分析
期刊论文
光谱学与光谱分析, 2016, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 3714-3719
作者:
张旭
;
张杰
;
闫兆文
;
邵宇波
;
张福甲
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/04/01
高纯度PTCDA
元素分析
核磁共振谱
X射线衍射谱
分子结构
PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析
期刊论文
发光学报, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1459-1463
作者:
张旭
;
张杰
;
闫兆文
;
周星宇
;
张福甲
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/06/24
有机光电探测器
低阻欧姆接触层
反应机理
X射线光电子能谱
衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响
期刊论文
光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser, 2012, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 439-444
作者:
张旭
;
何锡源
;
王德明
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
Si衬底
温度
蒸发条件
有机光电探测器
影响
Atomic force microscope (AFM)
Electrooptical properties
Evaporation temperature
Evaporation time
High resolution
Influence
Lateral force
Organic films
Organic photodetector
P-type Si
Polycrystalline thin film
Preparation process
Process condition
Si substrate
Substrate temperature
XRD analysize PTCDA film evaporatived on p-Si (110) substrate
会议论文
2012 International Symposium on Photonics and Optoelectronics, SOPO 2012, Shanghai, China, May 21, 2012 - May 23, 2012
作者:
Li, Xia
;
Sun, Shuo
;
Suo, Jian
;
Zhang, Shengdong
;
Zhang, Fujia
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/01/20
Substrates
Deposits
Film thickness
Growth rate
Optoelectronic devices
Photonics
Silicon
Thin films
X ray diffraction
Diffraction peaks
Growth patterns
Lattice plane
Molecular planes
Peak intensity
Peak position
Peak widths
PTCDA
PTCDA films
PTCDA thin films
Substrate planes
Substrate temperature
Technological parameters
XRD
XRD analysis
Fabrication technology and characterization of PTCDA/p-Si photo-electronic detector
会议论文
2011 Symposium on Photonics and Optoelectronics, SOPO 2011, Wuhan, China, May 16, 2011 - May 18, 2011
作者:
Li, Xia
;
Zhang, Shengdong
;
Zhang, Fujia
;
Wang, Jing
;
Zhang, Haoli
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/01/20
Detectors
Cathodes
Characterization
Optoelectronic devices
Photoelectricity
Photonics
Silicon
Cathode materials
Fabrication Technologies
I-V
IV characterization
OIHJ
Photo-electric detector
Photoelectric current
PTCDA
Fabrication technology and characterization of PTCDA/p-Si photo-electronic detector
会议论文
2011 Symposium on Photonics and Optoelectronics, SOPO 2011, May 16, 2011 - May 18, 2011
作者:
Li, Xia
;
Zhang, Shengdong
;
Zhang, Fujia
;
Wang, Jing
;
Zhang, Haoli
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究
期刊论文
2010, 2010
郑代顺
;
张旭
;
钱可元
;
ZHENG Dai-shun
;
ZHANG Xu
;
QIAN Ke-yuan
收藏
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浏览/下载:4/0
有机反转电致发光器件的负阻特性
期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 2008, 期号: 2, 页码: 124-127
作者:
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/04/27
有机电致发光器件
反转型器件
负阻现象
电流连续性方程
PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触电极的研究
会议论文
第十六届全国半导体物理学术会议
作者:
张桂玲
;
孙硕
;
李建丰
;
胥超
;
张福甲
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/06/24
光电探测器
PTCDA/P-Si
欧姆接触
有机半导体
电学性能
电极结构
备中
接触电阻
材料制备
中间层
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