衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响

	衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响
	张旭; 何锡源; 王德明
刊名	光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser
	2012-03-15
卷号	23 期号:3 页码:439-444
关键词	Si衬底温度蒸发条件有机光电探测器影响 Atomic force microscope (AFM) Electrooptical properties Evaporation temperature Evaporation time High resolution Influence Lateral force Organic films Organic photodetector P-type Si Polycrystalline thin film Preparation process Process condition Si substrate Substrate temperature
ISSN号	10050086
其他题名	Influence of substrate temperature and evaporation condition on organic photodetector's characteristics
通讯作者	Zhang, X. (boyzx@sina.com)
中文摘要	为了深入研究p型Si衬底的有机光电探测器的工艺条件对器件光电性能的影响,本文利用Dektak-8型α台阶仪及高分辨率Topometrix Exptorer型原子力显微镜(AFM),对不同衬底温度及蒸发条件下沉积的有机薄膜表面厚度进行了测量;采用拓扑和侧向力接触两种模式,对其表面形貌及其变化规律进行了研究;对制成的光电探测器的光电性能进行了测试分析。结果表明,PTCDA在p-Si(100)表面形成的多晶薄膜呈岛状形态,岛的大小及形貌受制备工艺条件的影响;当衬底温度为50℃、PTCDA的蒸发温度为420℃和蒸发时间为15s时,蒸发薄膜的厚度为135nm;测得器件的最大光电流为92μA,暗电流为7n...
学科主题	802.3 Chemical Operations;801 Chemistry;741.3 Optical Devices and Systems;741.1 Light/Optics;712.1.1 Single Element Semiconducting Materials;641.1 Thermodynamics;461 Bioengineering and Biology
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102889]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张旭,何锡源,王德明. 衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响[J]. 光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,2012,23(3):439-444.
APA	张旭,何锡源,&王德明.(2012).衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响.光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,23(3),439-444.
MLA	张旭,et al."衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响".光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser 23.3(2012):439-444.