衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响 | |
张旭; 何锡源; 王德明 | |
刊名 | 光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser
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2012-03-15 | |
卷号 | 23期号:3页码:439-444 |
关键词 | Si衬底 温度 蒸发条件 有机光电探测器 影响 Atomic force microscope (AFM) Electrooptical properties Evaporation temperature Evaporation time High resolution Influence Lateral force Organic films Organic photodetector P-type Si Polycrystalline thin film Preparation process Process condition Si substrate Substrate temperature |
ISSN号 | 10050086 |
其他题名 | Influence of substrate temperature and evaporation condition on organic photodetector's characteristics |
通讯作者 | Zhang, X. (boyzx@sina.com) |
中文摘要 | 为了深入研究p型Si衬底的有机光电探测器的工艺条件对器件光电性能的影响,本文利用Dektak-8型α台阶仪及高分辨率Topometrix Exptorer型原子力显微镜(AFM),对不同衬底温度及蒸发条件下沉积的有机薄膜表面厚度进行了测量;采用拓扑和侧向力接触两种模式,对其表面形貌及其变化规律进行了研究;对制成的光电探测器的光电性能进行了测试分析。结果表明,PTCDA在p-Si(100)表面形成的多晶薄膜呈岛状形态,岛的大小及形貌受制备工艺条件的影响;当衬底温度为50℃、PTCDA的蒸发温度为420℃和蒸发时间为15s时,蒸发薄膜的厚度为135nm;测得器件的最大光电流为92μA,暗电流为7n... |
学科主题 | 802.3 Chemical Operations;801 Chemistry;741.3 Optical Devices and Systems;741.1 Light/Optics;712.1.1 Single Element Semiconducting Materials;641.1 Thermodynamics;461 Bioengineering and Biology |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102889] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张旭,何锡源,王德明. 衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响[J]. 光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,2012,23(3):439-444. |
APA | 张旭,何锡源,&王德明.(2012).衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响.光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,23(3),439-444. |
MLA | 张旭,et al."衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响".光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser 23.3(2012):439-444. |
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