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P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计探头的差分工作电路技术 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 85-90
作者:  王思源1,2;  孙静2;  陆妩1,2
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/03/09
一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法 专利
申请日期: 2020-04-14,
作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  陆妩;  孙静
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/11/25
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898
作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2019/11/10
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  赵京昊
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/07/15
锗基pMOSFET迁移率的栅电荷库伦散射研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:  周丽星
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/09/06
Fabrication Technique for pMOSFET poly-SiTaNTiNHfSiAlON 期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018
作者:  jing Zhang;  Wang WW(王文武);  Xu QX(徐秋霞);  Li YL(李永亮)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/05
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2018/10/08
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15,
作者:  崔江维;  郑齐文
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/08/06
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09
作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/08/06
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/07/06

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