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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Exponential dependence of potential barrier height on biased voltages of inorganic/organic static induction transistor 期刊论文 半导体学报/Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 20-24 作者:  Zhang Y(张雍);  Yang JH(杨建红);  Cai XY(蔡雪原);  Wang ZX(汪再兴) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/10/21 SIT  OSIT  potential barrier height  normalized approach  Ⅰ-Ⅴcharacteristics